Dalam fabrikasi mikro, oksidasi termal adalah cara untuk menghasilkan lapisan tipis oksida (biasanya silikon dioksida) pada permukaan wafer. Teknik ini memaksa zat pengoksidasi berdifusi ke dalam wafer pada suhu tinggi dan bereaksi dengannya. Laju pertumbuhan oksida sering diprediksi dengan model Deal–Grove. Oksidasi termal dapat diterapkan pada bahan yang berbeda, namun paling sering melibatkan oksidasi substrat silikon untuk menghasilkan silikon dioksida.[1][2]
© MMXXIII Rich X Search. We shall prevail. All rights reserved. Rich X Search